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气相二氧化硅的改性原理

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气相二氧化硅在改性前，表面一般有三种羟基，一是孤立的自由羟基，以一定的间距“联”在颗粒的表面；二是连生的、形成氢键的缔合羟基；三是双生的羟基，两个羟基连在一个硅原子上。对气相二氧化硅的改性就是通过一定工艺，选择合适的表面处理剂与二氧化硅表面的羟基反应，以减少表面硅羟基的量，使气相二氧化硅表面呈疏水性。一般地说，能够与白碳黑表面羟基发生化学反应的易挥发物质均可作为改性剂。
常用的改性剂包括有机氯硅烷、硅烷偶联剂、醇类化合物、胺类化合物：
(1)有机氯硅烷作为改性剂，常用的是二甲基二氯硅烷和三甲基氯硅烷。 (2) 硅烷偶联剂作为改性剂，常用的有六甲基二硅氮烷、六甲基乙烯基硅氮烷、乙烯基乙氧基硅烷等。 (3) 醇类化合物作为改性剂。 (4) 胺类化合物作为改性剂。





二甲基二氯硅烷：https://yjg.siliconematerial.net/product-er-jia-ji-er-lv-gui-wan-m2--iota-m2.html
三甲基氯硅烷：https://yjg.siliconematerial.net/product-san-jia-ji-lv-gui-wan-iota-m3.html
六甲基二硅氮烷：https://yjg.siliconematerial.net/product-liu-jia-ji-er-gui-dan-wan-iota-011.html

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